Ketika Transistor Seukuran Beberapa Atom
Industri semikonduktor kini bersiap memasuki era fabrikasi **2 nanometer (2nm)**. Pada ukuran sekecil ini, insinyur dihubungkan dengan fenomena *quantum tunneling*, di mana elektron dapat melompat menembus penghalang gerbang transistor secara liar.
Transistor Gate-All-Around (GAA-FET)
Untuk mengontrol arus listrik di tingkat atomik, struktur transistor FinFET lawas digantikan oleh **GAA-FET (Gate-All-Around)**. Desain baru ini membungkus saluran arus listrik dari keempat sisi menggunakan lembaran nano silikon (nanosheets), memberikan kontrol efisiensi daya yang sempurna dan mencegah kebocoran arus.
